Show simple item record

dc.contributor.authorPadrón Hernández, Wendy Yaznay
dc.contributor.otherMartínez López, Andrea Guadalupe
dc.contributor.otherTinoco Magaña, Julio César
dc.date.accessioned2016-03-09T17:10:14Z
dc.date.accessioned2016-08-24T18:55:11Z
dc.date.available2016-03-09T17:10:14Z
dc.date.available2016-08-24T18:55:11Z
dc.date.issued2013
dc.identifier.urihttp://cdigital.uv.mx/handle/123456789/41313
dc.descriptionEn las últimas décadas, la tecnología CMOS ha evolucionado en busca de aumentar la densidad de integración, así como la velocidad de operación de los circuitos integrados. Para dispositivos submicrométricos, se observa una fuerte degradación de la movilidad debido al incremento de los campos eléctricos internos así como a la concentración de impurezas. A fin de continuar con el desarrollo de la tecnología CMOS, nuevos materiales y procesos son requeridos. En este contexto, la tecnología de silicio tensado aparece como un candidato atractivo debido a su alta movilidad de electrones. En este trabajo se desarrolló un modelo compacto continuo que describe la corriente de drenador para transistores canal n de silicio tensado biaxial. El modelo considera los principales parámetros tecnológicos como la concentración molar de germanio y la concentración de impurezas del substrato virtual silicio-germanio, así como el espesor y la concentración de impurezas de la capa de silicio tensado.es_SP
dc.language.isoeses_SP
dc.publisherUniversidad Veracruzana. lCentro de Investigación en Micro y Nanotecnología. Región Veracruz
dc.subjectCircuitos integrados analógicos CMOSes_SP
dc.subjectSemiconductor complementario de óxido metálicoes_SP
dc.subjectTransistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductores_SP
dc.titleModelado de transistores canal N de silicio tensadoes_SP
dc.typeTesis de Maestriaes_SP


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record