Modelado de transistores canal N de silicio tensado
Resumen
En las últimas décadas, la tecnología CMOS ha evolucionado en busca de aumentar la densidad
de integración, así como la velocidad de operación de los circuitos integrados. Para dispositivos
submicrométricos, se observa una fuerte degradación de la movilidad debido al incremento de los
campos eléctricos internos así como a la concentración de impurezas. A fin de continuar con el
desarrollo de la tecnología CMOS, nuevos materiales y procesos son requeridos. En este
contexto, la tecnología de silicio tensado aparece como un candidato atractivo debido a su alta
movilidad de electrones. En este trabajo se desarrolló un modelo compacto continuo que describe
la corriente de drenador para transistores canal n de silicio tensado biaxial. El modelo considera
los principales parámetros tecnológicos como la concentración molar de germanio y la
concentración de impurezas del substrato virtual silicio-germanio, así como el espesor y la
concentración de impurezas de la capa de silicio tensado.
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