Modelado de transistores canal N de silicio tensado

Abstract

En las últimas décadas, la tecnología CMOS ha evolucionado en busca de aumentar la densidad de integración, así como la velocidad de operación de los circuitos integrados. Para dispositivos submicrométricos, se observa una fuerte degradación de la movilidad debido al incremento de los campos eléctricos internos así como a la concentración de impurezas. A fin de continuar con el desarrollo de la tecnología CMOS, nuevos materiales y procesos son requeridos. En este contexto, la tecnología de silicio tensado aparece como un candidato atractivo debido a su alta movilidad de electrones. En este trabajo se desarrolló un modelo compacto continuo que describe la corriente de drenador para transistores canal n de silicio tensado biaxial. El modelo considera los principales parámetros tecnológicos como la concentración molar de germanio y la concentración de impurezas del substrato virtual silicio-germanio, así como el espesor y la concentración de impurezas de la capa de silicio tensado. iv