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Título : Espectroscopía Raman de películas de GaN y ZnO para aplicaciones fotovoltaicas
Autor : Del Angel Lara, Alberto
Palabras clave : Heteroestructuras
Sistemas de energía fotovoltaica
Películas delgadas
Epitaxia
Espectroscopía de Raman
Fecha de publicación : 2014
Resumen : Se han simulado con el software Atlas heteroestructuras basadas en GaN/InGaN tipo nip y pin con distintos espesores con el fin de conocer el comportamiento de distintas configuraciones y se utilizó el ZnO como alternativa al GaN. La razón principal del estudio de éstas heteroestructuras ha sido conocer el comportamiento de las curvas corriente contra voltaje respecto a las configuraciones simuladas con distintas dimensiones y por tanto conocer cuál es la más indicada para su crecimiento tomando en cuenta la dificultad que conlleva el crecimiento de dispositivos basados en nitruros; por otro lado se crecieron películas de GaN y ZnO por las técnicas epitaxia de haces moleculares MBE y erosión catódica (sputtering) respectivamente, además éstas películas se caracterizaron mediante la técnica de espectroscopía Raman para analizar los modos de vibración presentes en los distintos crecimientos. Por otro lado mediante PL se analizaron la presencia de defectos que se generan en el depósito de películas delgadas de ZnO tipo-n y tipo-p.
Descripción : Tesis de Maestría presentada al Centro de Investigación en Micro y Nanotecnología de la Universidad Veracruzana. Región Veracruz
URI : http://cdigital.uv.mx/handle/123456789/41299
Aparece en las colecciones: Ciencias en Micro y Nanosistemas

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