Description

Se fabricaron 10 heteroestructuras de GaAs/AlGaAs utilizando la técnica de epitaxia por haces moleculares, obteniéndose 3 grupos. Todos los grupos de muestras presentan la estructura básica en la que sobre un substrato de GaAs (100) se crece una capa colchón de GaAs, seguida de una primer capa espaciadora de AlGaAs, posteriormente se tiene una capa de AlGaAs dopada tipo n como capa barrera, seguida de una segunda capa espaciadora con las mismas características que la primera, siendo esta cubierta por una capa tapa de GaAs, a fin de que los dispositivos presentaran un sistema de doble gas bidimensional de electrones...