Diseño, crecimiento y caracterización de heteroestructuras AIGaAs/GaAs con doble 2 DEG
Resumen
Se fabricaron 10 heteroestructuras de GaAs/AlGaAs utilizando la técnica de
epitaxia por haces moleculares, obteniéndose 3 grupos. Todos los grupos de muestras
presentan la estructura básica en la que sobre un substrato de GaAs (100) se crece una capa
colchón de GaAs, seguida de una primer capa espaciadora de AlGaAs, posteriormente se
tiene una capa de AlGaAs dopada tipo n como capa barrera, seguida de una segunda capa
espaciadora con las mismas características que la primera, siendo esta cubierta por una capa
tapa de GaAs, a fin de que los dispositivos presentaran un sistema de doble gas
bidimensional de electrones...