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Título : Diseño de un amplificador de potencia CMOS para aplicaciones en comunicaciones inalámbricas
Autor : Cano Martínez, José Rogelio
Palabras clave : Amplificadores
Linealidad
Sistemas de comunicación inalámbrica
Fecha de publicación : 2015
Resumen : El presente trabajo aborda el diseño de un sistema de amplificación de potencia en tecnología CMOS submicrométrica. Los estándares de comunicación actuales exigen amplificadores de potencia con una alta linealidad y alta eficiencia. En la literatura existen algunas propuestas mediante las cuales es posible mejorar estas características. Una de ellas es la técnica conocida como múltiples trayectorias múltiples fases, la cual presenta una solución adecuada entre una alta linealidad y eficiencia. Por tal razón, se llevo a cabo el diseño de un amplificador de potencia polifásico multitrayectoria en tecnología CMOS de 0.18um de longitud de canal. La simulación del amplificador se realizo en el software “Advance Design Signal” de Agilent technologies en tecnología CMOS RF de UMC 0.18um. La banda de RF en la cual trabaja el sistema se encuentra entre los 2.35 y 2.45 GHz, con una señal banda base de 10MHz. El voltaje de polarización para la etapa de la mezcla de señales fue de 1.8v mientras que la etapa de potencia se polarizo con 1.3v. La potencia promedio máxima fue de 23.5 dBm, con una eficiencia de drenaje de 36% y un PAE (Eficiencia de potencia agregada) de 27.5%, mientras que para 7dBm de potencia de retroceso presenta una eficiencia de drenaje de 12% y un PAE de 6.5%. La supresión de armónicos alrededor de la portadora fue de 51 dBm como mínimo, en un rango de ωLO±10ωBB, lo cual refleja la alta linealidad del amplificador propuesto.
Descripción : Tesis de Maestría presentada al Centro de Investigación en Micro y Nanotecnología de la Universidad Veracruzana. Región Veracruz
URI : http://cdigital.uv.mx/handle/123456789/41296
Aparece en las colecciones: Ciencias en Micro y Nanosistemas

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